National
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Dr. M. PeterlechnerWestfälische Wilhelms-Universität Münster, Institut für Materialphysik
Fluktuationselektronenmikroskopie (FEM) an amorphem Silizium
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Prof. Dr. E. PeinerTechnische Universität Braunschweig, Institut für Halbleitertechnik
Nanostrukturierung von Silizium- und Germanium
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Prof. Dr. Georg BastianHochschule Rhein-Waal
Untersuchung und Charakterisierung thermoelektrischer Materialien - Prof. Dr. D. Bougeard
Institut für Experimentelle und Angewandte Physik, Universität Regensburg
MBE Wachstum von isotopenangereicherten Germaniumheterostrukturen - Prof. Dr. M. Cardona und K. Eberl
Max-Planck-Institut Stuttgart
MBE Wachstum von AlGaAs/GaAs Heterostrukturen - Dr. W. Graf und Dr. F. Natrup
Bodycote Wärmebehandlung GmbH, Sprockhövel
Sherardisierung von Stahl - Dr. D. Grambole
Forschungszentrum Rossendorf, Institut für Ionenstrahlphysik und Materialforschung
Kernreaktions-Resonanzanalyse von Wasserstoff in Gläsern - Dipl. Phys. J. Klug,
RUBION, Ruhr-Universität Bochum
Protonenbestrahlung - Dr. G. Pensl
Universität Erlangen, Institut für Angewandte Physik
Bor und Silicium Diffusion in Siliciumkarbid - PD Dr. Anton Plech
Karlsruher Institut für Technologie, Institute for Synchrotron Radiation
Röntgenographische Untersuchung von isotopenangereicherten Halbleiter-Multischichtstrukturen - Dr. M. Posselt und Dr. Bernd Schmidt
Forschungszentrum Rossendorf, Institut für Ionenstrahlphysik und Materialforschung
Strahlungsinduzierte Defekte in Halbleitern - Prof. Dr. B. Roling
Universität Marburg, Physikalische Chemie
Ionendynamik in Mischkationensilikatgläsern - Dr. A. Schirmeisen und Prof. H. Fuchs
Universität Münster, Physikalisches Institut
Nanoskopische Leitfähigkeitsmessungen mit der Rasterkraftmikroskopie - Prof. Dr. H. Schmidt, Institut für Metallurgie
Untersuchungen zur Selbstdiffusion mit Hilfe der Neutronenreflektometrie -
Dr. M. Luysberg und Prof. Dr. K. Urban
Forschungszentrum Jülich, Institut für Festkörperforschung
Al-Ga Interdiffusion in AlSb/GaSb Heterostrukturen
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International
- Dr. Giuliana Impellizzeri und Dr. Elena Bruno
Center MATIS CNR-IMM, Catania, Italien
Diffusionsphänomene in Silizium und Germanium unter Gleichgewichts- und Nichtgleichgewichtsbedingungen - Prof. Dr. F. Briones und Dr. J.P. Silveira
Universität Madrid, Institut für Mikroelektronik, Madrid, Spain
MBE-Wachstum von isotopenangereicherten 69Ga121Sb/71Ga123Sb Schichtstrukturen - Dr. A. Chroneos
Imperial College London, Department of Materials, London, United Kingdom
Atomistische Simulationen von Defekten und deren Wechselwirkung in Germanium, Silizium-Germanium und Silizium-Germanium-Zinn Legierungen - Dr. R. Falster
SunEdison, Meran, Italy
Eigenschaften von intrinsischen Defekten in Silizium - Prof. E.E. Haller
Lawrence Berkeley National Laboratory
and University of California at Berkeley
Dotieratom-Diffusion in isotopenangereicherten Siliciumschichtstrukturen und entsprechenden Schichtstrukturen von GaAs bzw. GaSb - Prof. Dr. A. Nylandsted Larsen
Universität Aarhus, Institut für Physik und Astronomy, Aarhus, Denmark
MBE-Wachstum von Si-Ge Epitaxieschichten, Siliziumdiffusion in isotopenangereicherten Siliziumschichtstrukturen unter Protonenbestrahlung - Dr. I. Romandic
Umicore - Electro-Optic Materials, Olen, Belgium
Eigendefekte in Germanium. -
Dr. Eddy Simoen
IMEC, Kapeldreef 75, Leuven, Belgium
Wechselwirkung zwischen Eigen- und Dotieratomen in SiGe, Nano-Spreading-Resistance Analysen
- Dr. Giuliana Impellizzeri und Dr. Elena Bruno